首先在襯低上制作氮化鎵(GaN)基的晶圓，這個過程主要是在金屬有機化學(xué)氣相沉積晶圓爐(MOCVD)中完成的。準(zhǔn)備好制作GaN基晶圓所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。

　　MOCVD是利用氣相反應(yīng)物(前驅(qū)物)及Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等質(zhì)量。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設(shè)備。

　　然后是對LED PN結(jié)的兩個電極進(jìn)行加工，電極加工也是制作LED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨;然后對LED毛片進(jìn)行劃片、測試和分選，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不夠干凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會導(dǎo)致蒸鍍出來的金屬層(指蝕刻后的電極)會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。

　　蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定芯片，因此會產(chǎn)生夾痕(在目檢必須挑除)。黃光作業(yè)內(nèi)容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會有發(fā)光區(qū)殘多出金屬。

　　晶粒在前段制程中，各項制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有晶粒電極刮傷情形發(fā)生。